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案例分析:基于溫度循環試驗判斷半導體分離器件不良現象

案例分析:基于溫度循環試驗判斷半導體分離器件不良現象

例1:待測器件經過1,000小時溫度循環試驗后測試結果顯示電性為開路狀態。通過不良品分析實驗,剝離器件外部塑封膠后發現晶片與框架焊接過程中所使用銀漿在與晶片背面的焊接區域出現斷裂狀態(圖1)。通常半導體器件焊接所使用的銀漿的成分為錫/銀/銅,晶片的基材為硅。

時間:2020-07-04
技術分析:溫度循環測試對芯片燒結性能的影響

技術分析:溫度循環測試對芯片燒結性能的影響

溫度環境應力對半導體器件作用更加突出和復雜,導致元器件出現各種形式的失效,嚴重影響武器裝備的可靠性和安全性。本文通過溫度循環試驗對一種封裝結構的半導體器件封裝進行了試驗,測定了該封裝結構的退化情況,測試結果表明該封裝對溫度有較好的耐受性。

時間:2020-07-04
試驗案例:高濕對電子產品安全性能的影響

試驗案例:高濕對電子產品安全性能的影響

高濕條件下,由于水汽吸附吸收和擴散作用,許多材料在吸濕后膨脹、性能變差強度降低,引起機械性能和電性能下降。高濕對設備安全性能的影響主要表現在:

時間:2020-07-04
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